Disciplina: Dispositivos Electrónicos

Área Científica:

Electrónica

HORAS CONTACTO:

80 Horas

NÚMERO DE ECTS:

7,5 ECTS

IDIOMA:

Português

Objetivos Gerais:

1 - Apresentar os componentes fundamentais dos circuitos electrónicos e explicar o seu funcionamento.
2 - Conhecer, analisar, projectar e saber dimensionar os circuitos mais comuns construídos com díodos.
3 - Conhecer, analisar, projectar e saber dimensionar os circuitos mais comuns construídos com transístores bipolares de junção.
4 - Conhecer, analisar, projectar e saber dimensionar os circuitos mais comuns construídos com transístores de efeito de campo.
5 - Conhecer, analisar, projectar e saber dimensionar os circuitos mais comuns construídos com amplificadores operacionais.
6 - Recorrer a equipamentos e técnicas adequadas para a realização de trabalhos práticos.
7 - Aperfeiçoar a utilização de ferramentas (software) de simulação.
8 - Apreender as técnicas de fabrico e teste de circuitos impressos.

Conteúdos / Programa:

1 - Díodos: Díodos ideais e díodos reais; Funcionamento nas diferentes regiões e respectivos modelos; Circuitos rectificadores; Circuitos limitadores; Recuperador da componente DC; Conceitos básicos de semicondutores - dopagem, junção p-n e correntes de deriva e de difusão; Outros tipos de díodos.
2 - Transístores Bipolares de Junção: Estrutura do transístor e operação física; Modos de funcionamento - Modelo de Ebers-Moll, características corrente-tensão em base comum e em emissor comum, regimes de saturação e de ruptura; Funcionamento como amplificador e como comutador; Polarização de circuitos com TBJs; Operação para pequenos sinais e modelos pi-híbrido e T; Amplificadores de um andar com TBJ - amp. em emissor comum, amp. em emissor comum c/ resistência de emissor, amp. em base comum e amp. em colector comum ou seguidor de emissor.
3 - Transístores de Efeito de Campo: Estrutura do MOSFET de enriquecimento; Mecanismo de criação do canal; Relação iD ? vDS; Complementary MOS ou CMOS; Zonas de funcionamento; MOSFET de Depleção; O MOSFET como um amplificador e comutador; Operação para pequenos sinais e modelos; Amp. em fonte comum, Amp. fonte comum com resistência de fonte, Amp. em porta comum, Amp. em dreno comum ou seguidor da fonte; FET de Junção.
4 - Amplificadores Operacionais: sinais em modo comum e em modo diferença; Amplificadores operacionais ideais; Comparadores; Configurações inversora e não inversora; Amplificadores em modo diferença; Amplificadores operacionais reais; Impedâncias genéricas - integrador inversor e diferenciador inversor.

Bibliografia / Fontes de Informação:

Luís Gomes , 2010 , Apontamentos de Dispositivos Electrónicos , Universidade da Madeira
Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith , 2004 , Microelectronic Circuits , Oxford University Press
Paul Scherz , 2006 , Practical Electronics for Inventors , McGraw Hill/TAB Electronics

Métodos e Critérios de Avaliação:

Tipo de Classificação: Quantitativa (0-20)

Metodologia de Avaliação:
2 Frequências: As frequências têm por objectivo aferir os conhecimentos teóricos e teórico-práticos adquiridos pelos alunos. 5 Trabalhos práticos laboratoriais: Os trabalhos são avaliados por relatório (3 trabalhos) ou por apresentação oral (2 trabalhos). Além dos trabalhos permitirem a aplicação prática (quer no laboratório quer em termos de simulação) dos conhecimentos adquiridos, esta metodologia de avaliação permite aos alunos desenvolver competências de escrita, de apresentação de resultados, de comunicação oral e de trabalho em equipa. É ainda realizado um 6 trabalho (ligado ao O8) que não é avaliado.